为什么高频旁路电容选择小电容? - 微思作业本

电容容量越大通过的频率越高容抗越小；高频电容多为小容量,这不是一个概念.高频电容,是指一个电容器的高频特性非常好,这要从电容器的设计和结构上下功夫.有些电容器,比如铝电解电容器,在较低频率下工作,它是

理论上电容越大阻抗越小,频率越高越容易通过.理论是没错,（低频通不过小电容）--不是绝对通不过只是阻抗较大不容易通过(高频能不过大电容)理论上大电容高频更容易通过,只不过由于大电容制造工艺所限,一般都

容抗等于1//2派F*容量,所以,同阻抗下,频率越高,容量可以越小.另外就是对脉冲电路中,因为电容是充电后保持电压缓慢放电,负载电流越大,容量就要越大,经验是,音频信号耦合是在1U以下,高频调制在1n

电容是有将交流信号短路入地的功能,但不要忘了它还有充放电的功能呀,积微分电路就是利用不同阻值的电阻和不同容量的电容组成的对不同频率的通过和产生的电路,所以根据电容对电阻的充放电的时间,对相应的频率进行

高频旁路电容器的作用是滤掉高频电流,也就是让高频电流容易通过!如果电容很大,不但由于容量大的电容由于有分布电感,阻碍高频电流通过,还会滤掉低频电流,所以高频电容器一般都较小,对低频而言,高频电容器的容

电容的特性是正半周时充电,负半周时放电,高频信号频率较高,它会在负半周时没等电压放完,正半周又到来开始充电.电容容量过大,将在电容上聚集很高的电压或杂波,根本滤不下去,将传到后级形成干扰.所以只有小容

锁相环电路第一计数器通过对基准信号源的输出进行分频产生一个第一输出信号FR.第二计数器通过对压控振荡器（VCO）电路的输出进行分频产生一个第二输出信号FV.在第二输出信号FV的相位滞后于第一输出信号F

旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法,在50--60年代,这个词也就有它特有的含义,现在已不多用.电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件.例如电子管的栅极相对于阴极往往

容抗=1/（jwc）=1/（j2πfc）,高频电流f很大,所以容抗接近于0,电流当然从总阻抗较小的地方走.而低频电流由于电容的相对容抗大,就相当于断路了.如果旁路既有阻抗又有容抗的话,我认为高频电流旁

高频旁路电容的电容量较小,根据容抗的计算公式：Xc=1/2πfc可知,它对低频交流电阻碍作用大,而对高频交流电阻碍作用小.所以他的特性是----通高频,阻低频.再问：我不需要教科书上答案、没有回答到点

三极管有静态偏置,这个偏置已经给PN结产生了一个正向电流,只要输入的交流信号产生的反向电流没有超过偏置值,PN结就还是正向偏置,所以能让交流通过.旁路电容作用是通过输入的交流信号,提高放大倍数.

根据信号的频率来选择.我们知道,电容越大,储能越大,可他的时间参数也就越大,在低频放大电路中,耦合电容同时还要考虑到一个“信号耦合量”的问题,即通过电容的交流信号的“流量”,所以一般都选择的比较大,但

你都把公式写出来了.公式是对的.你的问题是不是把别人的表述理解错了?一般的表述是：对高频信号,用小容量的电容就可以得到小的容抗；对低频信号,要用大的电容量才能得到小的容抗；对吧.

因为容抗Xc＝1/2*3.14*f*C式中f很高（数字很大）无论电容为何值,Xc都接近于零,所以有小电容就足够了.

旁路电容可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路掉的电容,称做“旁路电容”.例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时,要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级,而不需要高频信号进入,则

因为电容中,介质内部的（原子核最外层）电子,在平衡位置就像悠秋千似的.频率越高,作用在电子的时间越短,这样只要有一点（一点）能量,就会像秋千一样的使电子产生往返运动.而频率越低,作用在电子的时间越长,

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

电容越小,通过的频率越高.电容越大,通过的频率越低.最后到直流就不能通过了.电容可以看做是两个不接触的金属平板,用欧姆表测量,电阻是无穷大的.所以不通直流电.两端加直流电,金属板会分别聚集正电荷与负电

104,103都是小容量电容,如果耐压为25V或者50V的话,体积可以做的很小很小,如0805,0603,0402封装,容量越大,耐压越高,那么体积就越大,这是相对于大容量电容来说的,小容量低耐压的电

你所说的电阻和电容都接地了,应该是共发射极放大电路中接在发射极的电阻和电容,电阻为直流负反馈电阻,起稳定直流工作点的作用；电容为交流旁路电容,给被放大的交流信号提供通路,保证交流放大量,防止交流信号在