三极管处于放大状态uce怎么求

取决于Rb,Rc,和三极管的放大倍数β假设Vcc增大至2倍Vcc则Ib增加了Vcc/Rb,集电极电流Ic增加了β*Vcc/Rb集电极电阻上压降增加了Rc*β*Vcc/Rb,但是同时Vcc增加到2×Vc

共射极放大电路,处于什么工作状态,并不取决于发射极电阻的有无.发射极接入电阻时,仅仅是起到电流负反馈,起到稳定输出电流的作用.三极管的工作状态,主要和发射结电压(基极电流)值相关,可能处于放大、饱和、

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

C饱和.对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>U

减小基极电流.使VCE增加,三极管就由饱和导通转换成放大状态这种说法不对,VCE也起着重要的作用,VCE=VCC时就是截止状态,VCE接近0V时就是饱和状态,饱和时VCE有可能小于VBE,还要,要想放

)56kIb+Vbe=3kIc+Vce=0-(-5)=5Ib=(5-Vbe)/(56k)Ic=100Ib=100(5-Vbe)/(56k)=25(5-Vbe)/(14k)=(-5-Vce)/(3k)-

由输出特性曲线看出来的.再问：看不出来啊，输出特性曲线是指一定基极电流下，集电极电流与集电结电压uce之间的关系曲线，没提到电源电压ucc啊。不过uce=0时处于饱和区倒看懂了。再答：你看uce和ic

Ib=(10v-0.7v)/Rb=9.3/200K=0.0465mAIc=βIb=50*0.0465=2.325mAUce=10v-Ic*Rc=10v-6.975v=3.025vUce>Ube=0.7

上图是最简单的示意图,根本不能用来放大.电路设计者对电路的功能心中有数,首先确定集电极的最大电流,然后选择三极管型号.Rc=Vcc/ImaxIcq=Imax/2=Vcc/2Rc；Icq=最大值的一半.

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

饱和和截止

判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则,第一,如果发射结反偏,管子截止；第二,发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态；第三,发射结和集电极均正偏则在饱和状态.至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击

调整基极电阻R1的大小可以改变放大倍数.减小R1阻值增加基极电流可以增加集电极电流,同时减小集电极电阻R2、增加负载电阻R3能够增加一些电压放大倍数.选择三极管的β值高一些,可以提高放大倍数.加大输入

很简单,不要画图.1、先确定集电极要通过的最大电流.2、测出管子的放大倍数即贝他值.将集电集电流除以放大倍数,就是基极需要的电流值,只要基极电流大于这个值,9013管就处于开关状态了.比如说电压12V

处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的

发射结正偏就是:基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏

饱和导通.三极管的放大状态必须是发射极正偏,集电极反偏.而饱和导通的条件有两个,两个极都正偏,或者,发射极正偏,集电极零偏.

三极管的工作状态是工作在放大状态还是开管状态,是由其基极电流确定的.