三极管中uce

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.是真的,这是三极管饱和的特点所致,当Uce=Ube时,称为"临界饱和;当Uce小于Ube时,称为"饱和";三极管饱和时,集电结,发射结都处

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

取决于Rb,Rc,和三极管的放大倍数β假设Vcc增大至2倍Vcc则Ib增加了Vcc/Rb,集电极电流Ic增加了β*Vcc/Rb集电极电阻上压降增加了Rc*β*Vcc/Rb,但是同时Vcc增加到2×Vc

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

C饱和.对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>U

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

Uce=Vcc-Ic*Rc说的是三极管外电路的关系.因为VCC和地之间只有Rc和三极管,所以电阻上降的电压加上三极管ce之间降的电压必然等于VCC.而这时Ic的变化只能靠Ib变化,而三极管特性曲线的那

由输出特性曲线看出来的.再问：看不出来啊，输出特性曲线是指一定基极电流下，集电极电流与集电结电压uce之间的关系曲线，没提到电源电压ucc啊。不过uce=0时处于饱和区倒看懂了。再答：你看uce和ic

Ib=(10v-0.7v)/Rb=9.3/200K=0.0465mAIc=βIb=50*0.0465=2.325mAUce=10v-Ic*Rc=10v-6.975v=3.025vUce>Ube=0.7

截止状态.想想,如饱和,则Ic很大,Uc也很大,则Uce就很小了,应该小于Uces；如放大,Ic有个合适的值,使Uce大于Uces,而小于电源电压.所以排除以上两种工作状态,只能是截止,截止就是Ib基

是集电极和发射极二间的电压.

这是一个接地点的问题,从图看出基极是接地的,而发射极电阻是接-6伏的电压,这样基极对于这个-6伏来说相当于加了一个很高的偏压了（这时又可将-6伏当作地）应当为6伏,这么高的偏压,说明这个管子是工作在饱

看工作点靠近哪个截止区还是饱和区,

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

Ib=(Uc-Ube)/RbIc=βIbIe=Ib+IcUce=Uc-IcRc

实际工作时,情况如下：Uce=导通电阻*Ic导通电阻为C、E导通的电阻,参考其Datasheet.Ic为管子的C极电流C极的电压：因为没图不大方便,按我的理解应该是管子导通时,33K的电阻被8050短