三极管中bce的电位关系

有了阈刺激也就是刺激导致的电位变化已经达到了阈电位,这样就会有动作电位的产生,从而形成局部电位

用数字万用表pn结挡找出基极,用hFE挡辨别集电极与发射极,步骤如下：1、万用表置于pn结挡,红表笔试接任一脚,黑表笔接另外两脚时若都导通显示有限数字,则管子是NPN管,红表笔所接是基极；反之,数字万

npn：be=0.5-0.75v时：ce1v放大be

电压是对两点之间的来说的（也可以说是两点之间的电位差）,电位：必须有一参考点也就是地,电位是某一点对地来说的,也可以说是该点到地的电压值,也就是电位值电位差：是两点的电位值之差,其实际就是这两点的电压

类型npn电极BCE

NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于

很明显,选D解析：硅（Si）的管压降0.7V,锗（Ge）的管压降0.3V.从数值可以看出3.2-2.5=0.7V,所以B、D中选,再者另一极点电位为9V,是集电极电位,所以是NPN型三极管,发射极电位

这是一个锗管,因为有0.2V的基极差值,根据三极管工作原理,放大状态时,PNP型管电压情况是UcUe;所以你的三极管是PNP型,且0V是B极,-6V是C极,0.2V是E极

晕了,这个题怎么好多人问呢?难道很难吗?技巧：找出电位最低的（-10V).所有电位加+10.就变成了10,0,0.7V锗管的基极导通压降小于0.3.硅管高于0.7V.NPN管B比E高0.3或者0.7.

首先找电压差约为0.7或者0.3V的两个电极,这两级是基极或者发射极,若为0.7则为硅管,0.3则为锗管,然后观察剩下的那个集电极,若比这两个电极电压低就是PNP管,若高就是NPN管.所以你描述的是N

pnp型三极管,C极为负电压,E极为最高电位,在共射状态下,E极接“正地”,则Uc＜Ub＜Ue.不论管子在何种电压下工作,放大三极管的Ub与Ue之差很小,锗管为－0.2V,硅管为－0.6V.“b点电位

A发射结正偏,集电结反偏,0V为集电极,-10V为发射极,-9.3V为基极,VBE约等于0.7V,硅管共集电极放大电路.

共射,共集,共基都是对于交流信号而言的,所以看看交流电压那个接地了,就是共那个了!例如发射极交流接地,则是共射放大电路．集电极交流接地了,就是供集电极放大．基极交流接地了,就是攻击机放大电路!

以npn管为例:基极电压上升集电极电流增大ic=β×Ibie=ic+ib射级电压上升,集电极电流减小,可以先计算出Ib,集电极电压上升,对集电极电流的影响很小,基本可以忽略,决定于管子的型号,输出阻抗

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

电动势是表示电源做功能力的指标之一,如：电池是1.5V,蓄电瓶是12V,市电是220V,通常电动势越大,电源输出功率越大；另一个指标是内电阻（即内阻）,表示电源输出功率时,电源自身消耗（损耗）的能量,

1.管型是NPN型的,2.①②③分别是基极,集电极,发射极.3.硅材料的.因为硅材料的三极管每个PN结的正向电压为0.7V(3.1-2.4=0.7).NPN管的基极电压比发射极高0.7V可判断基极和发

1、电位也叫做电势.是描述电场中的那一点的相对位置和高低.用物理语言说是电荷在单位电场中某一点的电势能.φA=EpA/q2、有电位,就有电位差,AB两点的电位差的定义是UAB=φA-φB且有UAB=-

所谓电位,是相对于参考点的电压,必须有一个基准,做参考.电压就是电路中两点的电势差