三极管三个电极放大状态

共射级电路指的是信号从基极输入,从集电极输出,发射极作为输入和输出回路的公共端；共基极电路信号输入端为发射极,输出端为集电极,基极作为输入输出回路的公共端；同理,共集电极信号输入端为基极,输出端为发射

NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于

PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中E极电位最高.C极电位最低.再问：能在线问您几个问题吗，分数可以追加。很急，下午要考试了。再答：说吧.不用加分.再问：用万用表测处于正常工作晶体管的类型，怎

这是一个锗管,因为有0.2V的基极差值,根据三极管工作原理,放大状态时,PNP型管电压情况是UcUe;所以你的三极管是PNP型,且0V是B极,-6V是C极,0.2V是E极

晕了,这个题怎么好多人问呢?难道很难吗?技巧：找出电位最低的（-10V).所有电位加+10.就变成了10,0,0.7V锗管的基极导通压降小于0.3.硅管高于0.7V.NPN管B比E高0.3或者0.7.

处于放大状态时的三极管,基极与发射极之间的电压基本等于二极管的正向导通电压.一般硅二极管导通电压在0.6到0.7V,锗二极管导通电压在0.2V左右,所以你的这只三极管是锗管.同时基极电压处于发射极和集

首先找电压差约为0.7或者0.3V的两个电极,这两级是基极或者发射极,若为0.7则为硅管,0.3则为锗管,然后观察剩下的那个集电极,若比这两个电极电压低就是PNP管,若高就是NPN管.所以你描述的是N

A发射结正偏,集电结反偏,0V为集电极,-10V为发射极,-9.3V为基极,VBE约等于0.7V,硅管共集电极放大电路.

你可测三极管基极-发射极电压来确定,这个电压是0.65-0.7V,是放大状态,0.7V以上是饱和导通状态,0.3V以下是截止状态,-0.1至-0.4V是振荡状态.这就是标准.

锗管,NPN,8V端集电极C,5,3V端基极B,5V段发射极E.分析如下：1.根据测得几个电压均是正值说明管为NPN管,2.根据其中两端间压差为,0.3或0.7其中之一说明两者是基极和发射极,是0.3

减小基极电流.使VCE增加,三极管就由饱和导通转换成放大状态这种说法不对,VCE也起着重要的作用,VCE=VCC时就是截止状态,VCE接近0V时就是饱和状态,饱和时VCE有可能小于VBE,还要,要想放

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

共射放大电路集电极极性和基极相反,共基极电路,集电极和发射机极性相同

发射极电流＝集电极电流＋基极电流．即Ie＝Ic＋Ib,将它们的绝对值从大到小顺次排列IeIcIb．如给出的电流是正值为NPN型三极管,如给出的是负值为PNP型三极管．

调整基极电阻R1的大小可以改变放大倍数.减小R1阻值增加基极电流可以增加集电极电流,同时减小集电极电阻R2、增加负载电阻R3能够增加一些电压放大倍数.选择三极管的β值高一些,可以提高放大倍数.加大输入

1.管型是NPN型的,2.①②③分别是基极,集电极,发射极.3.硅材料的.因为硅材料的三极管每个PN结的正向电压为0.7V(3.1-2.4=0.7).NPN管的基极电压比发射极高0.7V可判断基极和发

A.再答：你刚学模电吗？再问：恩再答：那你加油。。。。。。有什么不会的我们可以探讨

发射结正偏就是:基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏

1,图a,图b,NPN管,基极电压

由于在中间的基极做的非常的薄,当基极和发射极导通的时候其实里面的pn结已经不存在了集电极电流直接越过基极流入发射极.