一电子具有 eV的动能.从A点垂直于电场线飞入匀强电场中,
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/10/06 10:33:11
设电子质量为m,初速度为V0,末速度为V,电子在电场中的偏移距离为S,则Ek=½m(V0)²V=V0/sin(180°-150°)=2V0动能定理:eES=½m(V)
吸收光子能量
设初速度为V0,则沿电场反方向的分速度V1=V0tan(150°-90°)=√3V0d=V1²/(2a)E=ma/eU=dE=0.5mV1²/e=3×0.5mV0²/e=
在A点电子的速度为v0:Ek=1/2m*v0^2在B点电子沿电场方向的分速度为v1:v1=v0*tan150°=-√3v0所以,电子在电场中偏移距离S:e*ES=1/2m*(-√3v0)^2=3*(1
将电子经过B点的速度进行分解可知: vBcos60°=v0解得:vB=2v0由Ek=12mv2,可得经过B点时电子的动能为EkB=4Ek0=400eV又根据动能定理得:-eUAB=12mv2
解题思路:根据电场强度方向与电势高低的相关知识分析说明解题过程:
由evB=mV^2/R得mv=eRBEk=(mv)^2/2m=(eRB)^2/2m=3.52*10^4eV该电子的动能Ek=3.52*10^4eV
选择C沿电场线的方向移动,电子带负电,因此受电场力的方向与电场线方向相反.电子运动方向与受力方向相反,因此电场力做负功,也可以称作电子克服电场力做功.电场力做负功,电子的动能逐渐转化为势能,因此动能减
0.4eV,因为要克服库伦力做功,所以Ek=(14-13.6)=0.4eV
A,B电势差为UAB=WAB/(-e)=-30eV/(-e)=30V,UAB=UA-UB=30V,所以UA=30V+110V=140V
A运动到B点,其动能增加了100eV即电场做功100ev所以A运动到B点其电势能降低了100ev所以EB-EA=-100eV电子带的是负电电势高的地方电势能低,电势低的地方电势高重点:从A到B电场做功
光子的能量E=hν,而ν=c/λ,则E=hc/λ.其中h为普朗克常量,为6.63x10^(-34),c为光速,为3x10^8,λ已知,则E很容易计算出.由德布罗意公式可得λ=h/p,而p=(2mE)^
10.在静电场中,将一电子由a点移到b点,电场力做功5ev,则下列结论错误的是()A.电场强度的方向一定是答案是选BC啊求理由.由于这题没有选项BC,所以不知道说错在哪里,但可由题目得到正确的知识面.
AB两点的电势差φa-φb=Uab=Wab/q=200eV/(-e)=-200Vφa=Uab+φb=-200+100=-100VAC两点的电势差φa-φc=Uac=Wac/q=-400eV/(-e)=
φA=80V,根据电场力做功公式:W=UAB(-e),因为电子带负电,可是UAB再问:“在电场里,一个电子从A点移到B点,电场力做功30eV”,这句什么意思,到底是正电荷做30ev功,还是负电荷做30
A、B,由题可知,a的电势高于b的电势,而场强与电势没有关系,但场强不一定由a指向b,也不可能由b指向a.故AB均错误.C、电子克服电场力做的功为1eV,则知电子的电势能增加1eV.故C正确.D、电子
根据所给题目中的图2可以知道电子在从A向B运动时所受电场力方向与运动方向相反,所以先减速,由于电子动能Ek=400eV
由从金属表面逸出的电子具有最大的初动能是1.5eV.而入射光的能量为5.0eV.则该金属的逸出功为3.5eV.而不论入射光的能量如何变化,逸出功却不变.所以恰好发生光电效应时,入射光的能量最低为3.5
E=hv知道动能就知道频率v,波长=c/v
1.电场力做正功.那么电势能减少了40电子伏2.无穷远是0,因为是负电荷,而且做正功,电子逆着电场线运动,所以A点电势为40V.3.电势差为-20V.电量是-e,那么做功为-20*(-e)=20电子伏